高通骁龙8 Gen 4的Oryon超大核在4.32GHz高频下存在能效瓶颈，导致温升显著、功耗陡增，且N3P工艺虽改善电压与温控但良率仅61%。

如果您在查阅最新旗舰芯片性能资料时发现高通骁龙8 Gen 4的实测数据存在显著波动，尤其是超大核频率飙升但机身温升明显，则很可能是Oryon自研核心在高频调度下遭遇能效瓶颈。以下是已曝光的初步测试数据与对应功耗表现分析：

本文运行环境：小米15 Pro，Android 15。

一、Oryon超大核频率实测表现

Oryon架构采用全大核设计，当前工程机验证显示其2颗超大核可动态拉升至4.32GHz，远超前代峰值；该频率在Geekbench 6单核压力测试中稳定维持超12秒，触发系统级温控前未降频。但需注意，该频率仅在散热模组满载、环境温度低于25℃条件下复现。

1、使用AndroBench 5.0对存储子系统施加连续读写负载，观察CPU频率响应曲线。

2、运行Geekbench 6单核循环测试（间隔30秒重启），记录第1轮至第5轮峰值频率衰减幅度。

3、通过Perfetto抓取kernel log，定位thermal-throttle事件触发时刻与对应CPU cluster ID。

二、多核性能与功耗矛盾现象

在8核全开场景下，骁龙8 Gen 4展现出强劲多线程吞吐能力，但功耗陡增特征突出：Adreno 830 GPU与Oryon大核协同满载时，整机瞬时功耗突破10.2W，较骁龙8 Gen 3同负载提升23%，导致VC均热板边缘区域温度在90秒内升至48.6℃。

1、启动《原神》须弥城跑图场景，开启1.5K+90帧模式，使用Monsoon电源仪采集每10秒整机功耗值。

2、同步启用SurfaceFlinger帧时间分析工具，标记GPU渲染延迟突增超过3帧的时刻点。

3、对比相同场景下天玑9400机型功耗曲线，确认骁龙8 Gen 4在GPU绑定大核调度策略上的差异性。

三、不同工艺批次的能效差异

台积电3nm N3E与N3P两种工艺版本的骁龙8 Gen 4已进入终端验证阶段，初步数据显示：N3P版本在相同4.32GHz频率下，核心电压降低65mV，满载温升减少3.2℃，但量产良率目前仅为61%。

1、拆解三款不同产线的小米15 Pro工程机，通过Chipset Analyzer识别SoC型号后缀（SM8750P或SM8750）。

2、在恒温22℃环境下，对每台设备执行30分钟持续游戏负载，红外热成像仪记录SoC封装表面最高温点轨迹。

3、导出各设备的PMIC供电日志，比对VDD_CPU_LITTLE与VDD_CPU_BIG两路电压调节精度偏差。